這幾年的半導(dǎo)體都技巧成長(zhǎng)開(kāi)端墮入窘境，制程更新也變得愈來(lái)愈慢。從intel的22nm制程完成以后，摩爾定律就開(kāi)端掉效，制程更新速度也變得愈來(lái)愈慢。依照摩爾定律，英特爾在2013年就要推出14nm的處置器，2015年就要加入10nm的處置器。不外依照今朝的情形來(lái)看，英特爾的14nm在2015年才開(kāi)端推出，而10nm則被推延到本年上半年。

英特爾處置器

傳播鼓吹要在本年量產(chǎn)10nm的半導(dǎo)體晶圓代工場(chǎng)有臺(tái)積電、三星和英特爾。在不久之前，臺(tái)積電、三星兩家都曝出了10nm制程良率欠安，量產(chǎn)也變得有些為難。在近日，國(guó)外財(cái)經(jīng)雜志Barrons.com爆料稱英特爾在10nm量產(chǎn)的進(jìn)程中也遭受了良率欠安的成績(jī)。

預(yù)備在2017年采取10nm工藝的廠商異常多，除英特爾新一代的CannonLake以外，海思麒麟、高通驍龍、聯(lián)發(fā)科X30等尖端科技科技廠商都將應(yīng)用10nm工藝，一旦良率欠安，將會(huì)招致桌面級(jí)、挪動(dòng)處置器的年夜面積缺貨，乃至激發(fā)行業(yè)驚恐。

光刻機(jī)

其其實(shí)轉(zhuǎn)進(jìn)到10nm制程進(jìn)程中，光刻技巧的限制就開(kāi)端凸顯。由于今朝主流的193nm光刻技巧曾經(jīng)走到止境，今朝只能依附多重暴光來(lái)完成制程工藝的微縮。固然這兩年的EUV光刻機(jī)開(kāi)端出貨，不外EUV光刻也只能保持到5nm制程，再前面要若何持續(xù)更新制程今朝還沒(méi)有明白的工藝技巧。

良率低不只僅會(huì)影響到10nm制程裝備的出貨，同時(shí)能夠會(huì)讓7nm甚至5nm制程研發(fā)期加長(zhǎng)。為了更好的轉(zhuǎn)進(jìn)7nm、5nm，臺(tái)積電在賡續(xù)的摸索鍺/三五族資料取代硅等等，乃至在2017年歲首年月購(gòu)置了5臺(tái)極紫外光刻機(jī)。

10nm工藝良率太低 或致iPhone8歷久缺貨 臺(tái)積電仍有時(shí)光，可三星來(lái)不及了

新工藝良率低的成績(jī)?cè)诎雽?dǎo)體工業(yè)上異常罕見(jiàn)，正常上線的尖端光刻工藝良率普通在60%閣下，假如低于這個(gè)良率，那就有倉(cāng)皇上線的嫌疑了。不外好新聞是間隔本年的旗艦iPhone宣布還有半年時(shí)光，臺(tái)積電仍然有足夠的時(shí)光來(lái)改良良率低的成績(jī)。而高公則沒(méi)有那末榮幸了，由于他們籌劃在本年3月出貨10nm處置器，三星的良率低短時(shí)光沒(méi)法處理，將會(huì)招致客戶埋怨和錯(cuò)掉市場(chǎng)。

在2017年，英特爾與遭受了極年夜的挑釁，AMD的zen架構(gòu)強(qiáng)勢(shì)回歸，讓他們嘗到久背的壓力。固然英特爾其實(shí)不會(huì)為此過(guò)度驚恐，不外來(lái)歲他們也必將要拿出10nm的CannonLake，由于英特爾本年又跳票了10nm工藝。