2018年2月28日 – 推進(jìn)高能效立異的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)物，擴(kuò)大了SiC二極管產(chǎn)物組合。這些二極管的尖端碳化硅技巧供給更高的開(kāi)關(guān)機(jī)能、更低的功率消耗，并輕松完成器件并聯(lián)。

安森美半導(dǎo)體最新宣布的650 V SiC 二極管系列供給6安培（A）到50 A的外面貼裝和穿孔封裝。一切二極管均供給零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)固性、高浪涌容量和正溫度系數(shù)。

工程師在設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中間電源等各類運(yùn)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，常常面臨在更小尺寸完成更高能效的挑釁。這些全新的二極管能為工程師處理這些挑釁。

這些650 V器件供給的體系優(yōu)勢(shì)包含更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的靠得住性。其固有的低正向電壓（VF）及SiC二極管的無(wú)反向恢來(lái)電荷能削減功率消耗，因此進(jìn)步能效。SiC二極管更快的恢復(fù)速度令開(kāi)關(guān)速度更高，是以可以縮減磁性元件和其他無(wú)源元件的尺寸，完成更高的功率密度和更小的全體電路設(shè)計(jì)。另外，SiC二極管可蒙受更高的浪涌電流，并在 -55至 +175°C的任務(wù)溫度規(guī)模內(nèi)供給穩(wěn)固性。

安森美半導(dǎo)體的SiC肖特基二極管具有奇特的專利終端構(gòu)造，增強(qiáng)靠得住性并晉升穩(wěn)固性和耐用性。另外，二極管供給更高的雪崩能量、業(yè)界最高的非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān)（UIS）才能和最低的電流泄露。

安森美半導(dǎo)體MOSFET營(yíng)業(yè)部高等副總裁兼總司理Simon Keeton表現(xiàn)：“安森美半導(dǎo)體新推出的650 V SiC二極管系列與公司現(xiàn)有的1200 V SiC器件相反相成，為客戶帶來(lái)更普遍的產(chǎn)物規(guī)模。SiC技巧應(yīng)用寬帶隙(WBG) 資料的奇特特征，比硅更實(shí)惠，其穩(wěn)健的構(gòu)造為嚴(yán)苛情況中的運(yùn)用供給靠得住的計(jì)劃。我們的客戶將受害于這些簡(jiǎn)化的、機(jī)能更佳、尺寸設(shè)計(jì)更小的新器件。”

封裝與訂價(jià)

650 V SiC二極管器件供給DPAK、TO-220和TO-247封裝，每千件的單價(jià)為1.30美元至14.39美元。

欲懂得更多安森美半導(dǎo)體SiC產(chǎn)物組合若何完成更高的能效和靠得住性，請(qǐng)拜訪碳化硅 (SiC) 產(chǎn)物網(wǎng)頁(yè)，和博客《碳化硅二極管的最低功率消耗可完成最高功率密度》。

迎接蒞臨安森美半導(dǎo)體在美國(guó)APEC #601號(hào)展臺(tái)，不雅看SiC MOSFET和二極管的現(xiàn)場(chǎng)演示，展現(xiàn)安森美半導(dǎo)體最新的仿真建模技巧若何準(zhǔn)確地婚配真實(shí)的器件任務(wù)。